IMW120R220M1HXKSA1, Транзистор: N-MOSFET, SiC, полевой, 1,2кВ, 9,5А, Idm: 21А, 37,5Вт
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8022464553
- Артикул
- IMW120R220M1HXKSA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Type
- Power MOSFET
- Series
- IMW1
- Polarity
- N
- Packaging
- Rail/Tube
Цена по запросу
(от 1 510 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор SIC DISCRETE
Технические параметры
| Type | Power MOSFET |
| Series | IMW1 |
| Polarity | N |
| Packaging | Rail/Tube |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 6.11 |
| Серия | IMW120RXM1H |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | TO-247 |
| Rad Hardened | No |
| Mounting Type | Through Hole |
| Упаковка | Tube |
| Power Dissipation | 75W |
| Number of Elements | 1 |
| Структура | MOSFET |
| Transistor Material | Si |
| Drain Source Voltage | 1200V |
| Drain-Source On-Volt | 1200(V) |
| Operating Temp Range | -55C to 175C |
| Технология | SiC |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Время спада | 14 ns |
| Особенности | - |
| Тип продукта | MOSFET |
| Continuous Drain Current | 13A |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Gate-Source Voltage (Max) | 18(V) |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Торговая марка | Infineon Technologies |
| Упаковка / блок | TO-247-3 |
| Maximum Drain Source Voltage | 1200 V |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4.5V |
| Qg - заряд затвора | 8.5 nC |
| Maximum Drain Source Resistance | 22 mΩ |
| Время нарастания | 1.4 ns |
| Drain Source On State Resistance | 0.22Ом |
| Maximum Continuous Drain Current | 13 A |
| Линейка Продукции | CoolSiC |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Operating Temperature Classification | Military |
| Непрерывный Ток Стока | 13А |
| Рассеиваемая Мощность | 75Вт |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Пороговое Напряжение Vgs | 4.5В |
| Pd - рассеивание мощности | 75 W |
| Другие названия товара № | IMW120R220M1H SP001946188 |
| Id - непрерывный ток утечки | 13 A |
| Коммерческое обозначение | CoolSiC |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 18В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 1.2кВ |
| Размер фабричной упаковки | 240 |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-247 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 7 V, + 23 V |
| Конфигурация МОП-транзистора | Single |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 289 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 1.2 kV |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Типичное время задержки выключения | 10 ns |
| Типичное время задержки при включении | 5 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 5.7 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 37.5 |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.22Ом |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 9.5 |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 2 S |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 37.5 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 1.2mΩ@100A, 10V |