IMW120R090M1HXKSA1, Транзистор: N-MOSFET, SiC, полевой, 1,2кВ, 18А, Idm: 50А, 58Вт, TO247
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8042953972
- Артикул
- IMW120R090M1HXKSA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Q(g)
- 21 nC
- V(DS)
- 1200 V
- P(tot)
- 115 W
- Package
- TO-247
Цена по запросу
(от 1 560 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор Infineon IMW120R090M1HXKSA1 в корпусе TO247-3 создан на основе ультрасовременного полупроводникового процесса trench, оптимизированного для сочетания производительности и надежности.
Технические параметры
| Q(g) | 21 nC |
| V(DS) | 1200 V |
| P(tot) | 115 W |
| Package | TO-247 |
| R(thJC) | 1 K/W |
| Mounting | THT |
| Packaging | TUBE |
| Pin Count | 3 |
| Automotive | NO |
| Technology | SiC |
| Вес, г | 6.15 |
| Logic level | NO |
| RoHS Status | RoHS-conform |
| Channel Type | N |
| Package Type | TO-247 |
| Configuration | N-CH |
| Mounting Type | Through Hole |
| RDS(on)at 10V | 90 mOhm |
| Fast bodydiode | YES |
| I(D)at Tc=25°C | 26 A |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 1200 V |
| Maximum Continuous Drain Current | 26 A |