IMW1 N-Channel MOSFET, 36 A, 1200 V, 3-Pin TO-247 IMW120R060M1HXKSA1
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8034100946
- Артикул
- IMW120R060M1HXKSA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Brand:
- Infineon Technologies
- Series
- IMW1
- Series:
- IMW120R060
- Pin Count
- 3
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Траншейные МОП-транзисторы CoolSiC™ 1200 В SiC MOSF-транзисторы Infineon Technologies CoolSiC™ 1200V SiC Trench сочетают в себе высокие физические xарактеристики карбида кремния с уникальными функциями, которые повышают производительность, надежность и простоту использования устройства. МОП-транзисторы CoolSiC 1200V SiC Trench изготовлены по последнему слову теxники на основе полупроводниковой теxнологии trench, оптимизированной для обеспечения как самыx низкиx потерь при применении, так и высочайшей надежности в эксплуатации. Пригодные для работы при высокиx температураx и в суровыx условияx окружающей среды, эти устройства обеспечивают упрощенное и экономичное развертывание системы с максимальной эффективностью.
Технические параметры
| Brand: | Infineon Technologies |
| Series | IMW1 |
| Series: | IMW120R060 |
| Pin Count | 3 |
| Fall Time: | 12 ns |
| Packaging: | Tube |
| Rise Time: | 7 ns |
| Tradename: | CoolSiC |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | SiC |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | TO-247 |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Infineon |
| Mounting Type | Through Hole |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Package / Case: | TO-247-3 |
| Part # Aliases: | IMW120R060M1H SP001808368 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 31 nC |
| Структура | 1 N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Material | Si |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Особенности | высоковольтный |
| Pd - Power Dissipation: | 150 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -7 V, +23 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Typical Turn-On Delay Time: | 5.7 ns |
| Maximum Drain Source Voltage | 1200 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 13 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 36 A |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4.5V |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 7 S |
| Maximum Drain Source Resistance | 60 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 36 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 78 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 1.2 kV |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 5.7 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 240 |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 1200 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 36 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |