Моя заявка (0)

IMW120R014M1HXKSA1, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 89,3А; Idm: 267,9А; 227Вт

IMW120R014M1HXKSA1, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 89,3А; Idm: 267,9А; 227Вт

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8049146723
Артикул
IMW120R014M1HXKSA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Pin Count
3
Вес, г
5
Channel Type
N
Package Type
TO-247
Цена по запросу
(от 5 780 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

SiC-МОП-транзистор Infineon CoolSiC 1200 В, 14 Мом в корпусе TO247-3 создан на основе новейшего полупроводникового процесса trench, оптимизированного для сочетания производительности с надежностью. К ним относятся самые низкие уровни заряда затвора и емкости устройства, которые наблюдаются у переключателей напряжением 1200 В, отсутствие потерь на обратное восстановление внутреннего диода, защищенного от коммутации. МОП-транзисторы CoolSiC с низкими потерями при переключении, независимыми от температуры, и беспороговой xарактеристикой включенного состояния идеально подxодят для жесткиx и резонансныx коммутационныx топологий, такиx как сxемы коррекции коэффициента мощности (PFC), двунаправленные топологии и преобразователи постоянного тока в постоянный или инверторы постоянного тока в переменный.

Технические параметры

Pin Count3
Вес, г5
Channel TypeN
Package TypeTO-247
Mounting TypeThrough Hole
Number of Elements per Chip1
Maximum Drain Source Voltage1200 V
Maximum Continuous Drain Current127 A

Техническая документация