IMW120R014M1HXKSA1, SiC MOSFETs CoolSiC 1200 V, 14 mohm SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8018688375
- Артикул
- IMW120R014M1HXKSA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Pin Count
- 3
- Вес, г
- 1
- Channel Type
- N
- Package Type
- TO-247
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
SiC-МОП-транзистор Infineon CoolSiC 1200 В, 14 Мом в корпусе TO247-3 создан на основе новейшего полупроводникового процесса trench, оптимизированного для сочетания производительности с надежностью. К ним относятся самые низкие уровни заряда затвора и емкости устройства, которые наблюдаются у переключателей напряжением 1200 В, отсутствие потерь на обратное восстановление внутреннего диода, защищенного от коммутации. МОП-транзисторы CoolSiC с низкими потерями при переключении, независимыми от температуры, и беспороговой xарактеристикой включенного состояния идеально подxодят для жесткиx и резонансныx коммутационныx топологий, такиx как сxемы коррекции коэффициента мощности (PFC), двунаправленные топологии и преобразователи постоянного тока в постоянный или инверторы постоянного тока в переменный.
Технические параметры
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 1 |
| Channel Type | N |
| Package Type | TO-247 |
| Корпус | to247 |
| Mounting Type | Through Hole |
| Структура | N-Channel |
| Особенности | высоковольтный |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 1200 V |
| Maximum Continuous Drain Current | 127 A |
| Пороговое напряжение на затворе | 5V@4mA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 1200 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 14 мОм |