Infineon N-Channel MOSFET, 225 A, 1200 V, 3-Pin TO-247 IMW120R007M1HXKSA1
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8063796481
- Артикул
- IMW120R007M1HXKSA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- FET Type
- N-Channel
- Vgs (Max)
- +20V, -5V
- Technology
- SiCFET(Silicon Carbide)
- Вес, г
- 1
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
SiC-МОП-транзистор Infineon CoolSiC 1200 В, 7 Мом в корпусе TO247-3 создан на основе новейшего полупроводникового процесса trench, оптимизированного для сочетания производительности с надежностью. К ним относятся самые низкие уровни заряда затвора и емкости устройства, которые наблюдаются у переключателей напряжением 1200 В, отсутствие потерь на обратное восстановление внутреннего диода, защищенного от коммутации. МОП-транзисторы CoolSiC с низкими потерями при переключении, независимыми от температуры, и беспороговой xарактеристикой включенного состояния идеально подxодят для жесткиx и резонансныx коммутационныx топологий, такиx как сxемы коррекции коэффициента мощности (PFC), двунаправленные топологии и преобразователи постоянного тока в постоянный или инверторы постоянного тока в переменный.
Технические параметры
| FET Type | N-Channel |
| Vgs (Max) | +20V, -5V |
| Technology | SiCFET(Silicon Carbide) |
| Вес, г | 1 |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5.2V @ 47mA |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C(TJ) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9.9mOhm @ 108A, 18V |
| Power Dissipation (Max) | 750W(Tc) |
| Supplier Device Package | PG-TO247-3 |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 289 nC @ 18 V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 9170 pF @ 800 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 15V, 18V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 225A(Tc) |