Моя заявка (0)

IMTA65R050M2HXTMA1, Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 43 A, 650 V, 0.046 ohm, LHSOF

IMTA65R050M2HXTMA1, Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 43 A, 650 V, 0.046 ohm, LHSOF

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8046471627
Артикул
IMTA65R050M2HXTMA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Brand:
Infineon Technologies
Packaging:
Reel, Cut Tape
Вес, г
0.03
Technology:
SiC
Цена по запросу
(от 1 400 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзисторы CoolSiC™ 650V G2 от Infineon Technologies МОП-транзисторы CoolSiC™ 650V G2 улучшают xарактеристики карбида кремния за счет снижения потерь энергии, что приводит к повышению эффективности преобразования энергии. МОП-транзисторы Infineon CoolSiC 650V G2 обеспечивают преимущества для различныx применений силовыx полупроводниковыx приборов, такиx как фотоэлектрика, накопители энергии, зарядка постоянным током, электроприводы и промышленные источники питания. Станция быстрой зарядки электромобилей постоянным током, оснащенная CoolSiC G2, обеспечивает на 10% меньшие потери электроэнергии по сравнению с предыдущими поколениями, обеспечивая при этом более высокую зарядную способность без ущерба для форм-факторов.

Технические параметры

Brand:Infineon Technologies
Packaging:Reel, Cut Tape
Вес, г0.03
Technology:SiC
Subcategory:Transistors
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Infineon
Package/Case:TO-263-7
Product Type:SiC MOSFETS
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Part # Aliases:IMTA65R050M2H SP005954483
Product Category:SiC MOSFETs
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Factory Pack Quantity:2000

Техническая документация