CoolSiC Type N-Channel MOSFET, 26 A, 650 V Enhancement, 8-Pin PG-HSOF-8 IMT65R107M1HXUMA1
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8056777571
- Артикул
- IMT65R107M1HXUMA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Technology
- SiCFET(Silicon Carbide)
- Вес, г
- 1
- Mounting Type
- Surface Mount
- Package / Case
- 8-PowerSFN
Цена по запросу
(от 1 670 ₽)
Минимальный заказ: 2 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
650 В для поверxностного монтажа PG-HSOF-8-2
Технические параметры
| Technology | SiCFET(Silicon Carbide) |
| Вес, г | 1 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 8-PowerSFN |
| Структура | N-Channel |
| Особенности | Enhancement Mode |
| Supplier Device Package | PG-HSOF-8-2 |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 18V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 650 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 26 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |