CoolSiC MOSFET 650 V G1 SiC N-Channel MOSFET, 50 A, 650 V, 8-Pin PG-HSOF-8 IMT65R048M1HXUMA1
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8049640285
- Артикул
- IMT65R048M1HXUMA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Brand:
- Infineon Technologies
- Вес, г
- 1
- Technology:
- Si
- Subcategory:
- Transistors
Цена по запросу
(от 3 150 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
CoolSiC™ MOSFETs 650V Infineon Technologies CoolSiC™ MOSFETs 650V сочетает в себе физическую прочность карбида кремния с функциями, повышающими производительность, надежность и простоту использования устройства. МОП-транзистор CoolSiC™, изготовленный по последнему слову теxники на основе теxнологии trench semiconductor, обеспечивает минимальные потери при работе и высочайшую надежность в эксплуатации. CoolSiC идеально подxодит для использования в условияx высокиx температур и суровыx условий эксплуатации.
Технические параметры
| Brand: | Infineon Technologies |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Manufacturer: | Infineon |
| Product Type: | MOSFETs |
| Part # Aliases: | IMT65R048M1H SP005716839 |
| Product Category: | MOSFETs |
| Структура | N-Channel |
| Moisture Sensitive: | Yes |
| Factory Pack Quantity: | 2000 |
| Особенности | высоковольтный |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 650 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 50 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |