Моя заявка (0)

IMT65R022M1HXUMA1,Silicon Carbide MOSFET, N Channel, 79 A, 650 V, 0.022 ohm, HSOF

IMT65R022M1HXUMA1,Silicon Carbide MOSFET, N Channel, 79 A, 650 V, 0.022 ohm, HSOF

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8050442565
Артикул
IMT65R022M1HXUMA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
MSL
MSL 2-1 year
Вес, г
1
No. of Pins
8Pins
Channel Type
N Channel
Цена по запросу
(от 3 750 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Технические параметры

MSLMSL 2-1 year
Вес, г1
No. of Pins8Pins
Channel TypeN Channel
Product RangeCoolSiC Trench Series
Transistor Case StyleHSOF
Drain Source Voltage Vds650V
Operating Temperature Max175°C
Continuous Drain Current Id79A
Gate Source Threshold Voltage Max5.7V
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт375W
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)18V

Техническая документация