IMT1AT110, Транзистор: PNP
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8014890044
- Артикул
- IMT1AT110
- Бренд
- Rohm
- ECCN
- EAR99
- HTSUS
- 8541.21.0095
- Package
- Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
- Вес, г
- 0.04
Цена по запросу
(от 6,30 ₽)
Минимальный заказ: 10 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярные транзисторы - BJT DUAL PNP 50V 150MA SOT-457
Технические параметры
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.21.0095 |
| Package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ® |
| Вес, г | 0.04 |
| Длина | 2.9 mm |
| Power - Max | 300mW |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| REACH Status | REACH Unaffected |
| Высота | 1.1 mm |
| Ширина | 1.6 mm |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SC-74, SOT-457 |
| Transistor Type | PNP |
| Simulation Models | http://rohmfs.rohm.com/en/products/library/spice/d |
| Структура | pnp |
| Base Product Number | IMT1AT110 -> |
| Operating Temperature | 150В°C (TJ) |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Collector Current (Ic) | 150mA |
| Frequency - Transition | 140MHz |
| Power Dissipation (Pd) | 300mW |
| Other Related Documents | http://rohmfs.rohm.com/en/techdata_basic/transisto |
| Supplier Device Package | SMT6 |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Конфигурация | Dual |
| Подкатегория | Transistors |
| Transition Frequency (fT) | 140MHz |
| Торговая марка | ROHM Semiconductor |
| DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 120@1mA, 6V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 5mA, 50mA |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 150mA |
| Collector Cut-Off Current (Icbo) | 100nA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 120 @ 1mA, 6V |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 50V |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
| Полярность транзистора | PNP |
| Pd - рассеивание мощности | 300 mW |
| Другие названия товара № | IMT1A |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 6 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 500mV@50mA, 5mA |
| Непрерывный коллекторный ток | 150 mA |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 60 V |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 50 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 0.15 A |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 560 |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 120 |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 140 MHz |