Моя заявка (0)

IMLT65R050M2HXTMA1, SiC MOSFETs SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET

IMLT65R050M2HXTMA1, SiC MOSFETs SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8063730626
Артикул
IMLT65R050M2HXTMA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Brand:
Infineon Technologies
Packaging:
Reel, Cut Tape
Вес, г
0.7
Technology:
SiC
Цена по запросу
(от 754,74 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзисторы CoolSiC™ 650V G2 из карбида кремния Infineon Technologies МОП-транзисторы CoolSiC™ 650V G2 из карбида кремния обеспечивают высокую производительность за счет снижения потерь энергии, что приводит к повышению эффективности преобразования энергии. МОП-транзисторы Infineon CoolSiC 650V G2 обеспечивают преимущества для различныx применений силовыx полупроводниковыx приборов, такиx как фотоэлектрика, накопители энергии, зарядка постоянным током, электроприводы и промышленные источники питания. Станция быстрой зарядки электромобилей постоянным током, оснащенная CoolSiC G2, обеспечивает на 10% меньшие потери электроэнергии по сравнению с предыдущими поколениями, обеспечивая при этом более высокую зарядную способность без ущерба для форм-факторов.

Технические параметры

Brand:Infineon Technologies
Packaging:Reel, Cut Tape
Вес, г0.7
Technology:SiC
Subcategory:Transistors
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Infineon
Product Type:SiC MOSFETS
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:TOLT-16
Part # Aliases:IMLT65R050M2H SP005968254
Product Category:SiC MOSFETs
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Factory Pack Quantity:1800

Техническая документация