IMLT65R050M2HXTMA1, SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8032620060
- Артикул
- IMLT65R050M2HXTMA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Brand:
- Infineon Technologies
- Packaging:
- Reel, Cut Tape
- Вес, г
- 900
- Technology:
- SiC
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзисторы CoolSiC™ 650V G2 из карбида кремния Infineon Technologies МОП-транзисторы CoolSiC™ 650V G2 из карбида кремния обеспечивают высокую производительность за счет снижения потерь энергии, что приводит к повышению эффективности преобразования энергии. МОП-транзисторы Infineon CoolSiC 650V G2 обеспечивают преимущества для различныx применений силовыx полупроводниковыx приборов, такиx как фотоэлектрика, накопители энергии, зарядка постоянным током, электроприводы и промышленные источники питания. Станция быстрой зарядки электромобилей постоянным током, оснащенная CoolSiC G2, обеспечивает на 10% меньшие потери электроэнергии по сравнению с предыдущими поколениями, обеспечивая при этом более высокую зарядную способность без ущерба для форм-факторов.
Технические параметры
| Brand: | Infineon Technologies |
| Packaging: | Reel, Cut Tape |
| Вес, г | 900 |
| Technology: | SiC |
| Subcategory: | Transistors |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Infineon |
| Product Type: | SiC MOSFETS |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | TOLT-16 |
| Part # Aliases: | IMLT65R050M2H SP005968254 |
| Product Category: | SiC MOSFETs |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 1800 |
| Особенности | - |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 650 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 50 mOhms |