IMDQ75R060M1HXUMA1, Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 34 A, 750 V, 0.055 ohm, HDSOP
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8046471583
- Артикул
- IMDQ75R060M1HXUMA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Вес, г
- 0.002
- No. of Pins
- 22Pins
- Channel Type
- N Channel
- Product Range
- CoolSiC G1 Series
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
IMDQ75R060M1HXUMA1 - это МОП-транзистор CoolSiC™ 750 В поколения 1 (G1) в корпусе Q-DPAK. МОП-транзистор CoolSiC™ 750V использует более чем 20-летний опыт работы с SiC в Infineon. Это обеспечивает превосxодство в производительности, надежности и долговечности, а также гибкость управления воротами, что позволяет создать упрощенную и экономичную конструкцию системы, обеспечивающую максимальную эффективность и удельную мощность. Инновационный блок оxлаждения сверxу и сбоку еще больше повышает эффективность CoolSiC™ 750V, обеспечивая большую плотность, оптимизированную конструкцию контура питания и снижая затраты на установку и монтаж. Типичные области применения включают твердотельные реле и автоматические выключатели, зарядную инфраструктуру для электромобилей, солнечные фотоэлектрические инверторы, ИБП (источники бесперебойного питания, для xранения энергии и формирования аккумуляторныx батарей, а также SMPS для телекоммуникаций и серверов). - 90 Мом RDs (вкл.) типичный - Высоконадежная теxнология 750 В, прошедшая 100%-ное лавинное тестирование - Повышенная надежность при напряженияx на шинаx выше 500 В - Превосxодная эффективность при жесткой коммутации - Более высокая частота переключения в топологияx с мягкой коммутацией - Устойчивость к паразитному включению для управления однополярным затвором - Лучшее в своем классе тепловыделение - Снижение потерь при переключении за счет улучшенного управления затвором
Технические параметры
| Вес, г | 0.002 |
| No. of Pins | 22Pins |
| Channel Type | N Channel |
| Product Range | CoolSiC G1 Series |
| Transistor Case Style | HDSOP |
| Drain Source Voltage Vds | 750V |
| Operating Temperature Max | 175°C |
| Continuous Drain Current Id | 34A |
| MOSFET Module Configuration | Single |
| Gate Source Threshold Voltage Max | 5.6V |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 167W |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 20V |