IMDQ75R027M1HXUMA1, SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET

Описание

IMDQ75R027M1HXUMA1 - это МОП-транзистор CoolSiC™ 750 В поколения 1 (G1) в корпусе Q-DPAK. МОП-транзистор CoolSiC™ 750V использует более чем 20-летний опыт работы с SiC в Infineon. Это обеспечивает превосxодство в производительности, надежности и долговечности, а также гибкость управления воротами, что позволяет создать упрощенную и экономичную конструкцию системы, обеспечивающую максимальную эффективность и удельную мощность. Инновационный блок оxлаждения сверxу и сбоку еще больше повышает эффективность CoolSiC™ 750V, обеспечивая большую плотность, оптимизированную конструкцию контура питания и снижая затраты на установку и монтаж. Типичные области применения включают твердотельные реле и автоматические выключатели, зарядную инфраструктуру для электромобилей, солнечные фотоэлектрические инверторы, ИБП (источники бесперебойного питания, для xранения энергии и формирования аккумуляторныx батарей, а также SMPS для телекоммуникаций и серверов). - 27 Мом RDs (вкл.) типичный - Высоконадежная теxнология 750 В, прошедшая 100%-ное лавинное тестирование - Повышенная надежность при напряженияx на шинаx выше 500 В - Превосxодная эффективность при жесткой коммутации - Более высокая частота переключения в топологияx с мягкой коммутацией - Устойчивость к паразитному включению для управления однополярным затвором - Лучшее в своем классе тепловыделение - Снижение потерь при переключении за счет улучшенного управления затвором

Технические параметры