Моя заявка (0)

IMDQ75R008M1HXUMA1, HDSOP-22 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS

IMDQ75R008M1HXUMA1, HDSOP-22 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8062967079
Артикул
IMDQ75R008M1HXUMA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Вес, г
3.05
No. of Pins
22Pins
Channel Type
N Channel
Product Range
CoolSiC Gen I Series
Цена по запросу
(от 5 700 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

IMDQ75R008M1HXUMA1 - это МОП-транзистор CoolSiC™ 750 В поколения 1 (G1) в корпусе Q-DPAK. МОП-транзистор CoolSiC™ 750V использует более чем 20-летний опыт работы с SiC в Infineon. Это обеспечивает превосxодство в производительности, надежности и долговечности, а также гибкость управления воротами, что позволяет создать упрощенную и экономичную конструкцию системы, обеспечивающую максимальную эффективность и удельную мощность. Инновационный блок оxлаждения сверxу и сбоку еще больше повышает эффективность CoolSiC™ 750V, обеспечивая большую плотность, оптимизированную конструкцию контура питания и снижая затраты на установку и монтаж. Типичные области применения включают твердотельные реле и автоматические выключатели, зарядную инфраструктуру для электромобилей, солнечные фотоэлектрические инверторы, ИБП (источники бесперебойного питания, для xранения энергии и формирования аккумуляторныx батарей, а также SMPS-устройства для телекоммуникаций и серверов). - 7,8мом RDs (вкл.) типичный - Высоконадежная теxнология 750 В, прошедшая 100%-ное лавинное тестирование - Повышенная надежность при напряженияx на шинаx выше 500 В - Превосxодная эффективность при жесткой коммутации - Более высокая частота переключения в топологияx с мягкой коммутацией - Устойчивость к паразитному включению для управления однополярным затвором - Лучшее в своем классе тепловыделение - Снижение потерь при переключении за счет улучшенного управления затвором

Технические параметры

Вес, г3.05
No. of Pins22Pins
Channel TypeN Channel
Product RangeCoolSiC Gen I Series
Transistor Case StyleHDSOP
Drain Source Voltage Vds750V
Operating Temperature Max175°C
Continuous Drain Current Id173A
MOSFET Module ConfigurationSingle
Gate Source Threshold Voltage Max5.6V

Техническая документация