IMD2AT108, Транзистор: NPN / PNP
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8014890177
- Артикул
- IMD2AT108
- Бренд
- Rohm
- RoHS
- Details
- Brand
- ROHM Semiconductor
- Width
- 1.6 mm
- Height
- 1.1 mm
Цена по запросу
(от 13,94 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения NPN/PNP 50V 30MA SOT-457
Технические параметры
| RoHS | Details |
| Brand | ROHM Semiconductor |
| Width | 1.6 mm |
| Height | 1.1 mm |
| Length | 2.9 mm |
| Series | IMD2A |
| Packaging | Reel |
| Вес, г | 0.1 |
| Длина | 2.9 mm |
| Серия | IMD2A |
| Manufacturer | ROHM Semiconductor |
| Высота | 1.1 mm |
| Ширина | 1.6 mm |
| Configuration | Dual |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Product Category | Bipolar Transistors-Pre-Biased |
| Number of Channels | 2 Channel |
| Структура | npn |
| Transistor Polarity | NPN, PNP |
| Factory Pack Quantity | 3000 |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Pd - Power Dissipation | 300 mW |
| Typical Input Resistor | 22 kOhms |
| Typical Resistor Ratio | 1 |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased |
| Конфигурация | Dual |
| Подкатегория | Transistors |
| Peak DC Collector Current | 100 mA |
| Торговая марка | ROHM Semiconductor |
| Continuous Collector Current | 30 mA |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| DC Collector/Base Gain hfe Min | 56 |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - С предварительно заданным |
| Количество каналов | 2 Channel |
| Полярность транзистора | NPN, PNP |
| Pd - рассеивание мощности | 300 mW |
| Другие названия товара № | IMD2A |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Непрерывный коллекторный ток | 30 mA |
| Типичное входное сопротивление | 22 kOhms |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Пиковый постоянный ток коллектора | 100 mA |
| Типичный коэффициент деления резистора | 1 |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 56 |