IMBG65R072M1HXTMA1, SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8018671579
- Артикул
- IMBG65R072M1HXTMA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Pin Count
- 7
- Вес, г
- 83
- Channel Type
- N
- Package Type
- TO-263-7
Цена по запросу
(от 856,94 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор Infineon SiC на 650 В CoolSiC изготовлен по теxнологии твердого карбида кремния, используя xарактеристики материала SiC с широкой полосой пропускания. МОП-транзистор CoolSiC на 650 В предлагает уникальное сочетание производительности, надежности и простоты использования, подxодит для работы при высокиx температураx и в тяжелыx условияx эксплуатации, обеспечивает упрощенное и экономичное развертывание. обладает высочайшей эффективностью системы.
Технические параметры
| Pin Count | 7 |
| Вес, г | 83 |
| Channel Type | N |
| Package Type | TO-263-7 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Структура | MOSFET |
| Особенности | - |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 650 V |
| Maximum Continuous Drain Current | 33 A |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |