IMBG65R057M1HXTMA1, Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 39 A, 650 V, 0.057 ohm, TO-263
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8012539438
- Артикул
- IMBG65R057M1HXTMA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Pin Count
- 7
- Вес, г
- 1.588
- Channel Type
- N
- Package Type
- TO-263-7
Цена по запросу
(от 1 580 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор Infineon SiC на 650 В CoolSiC изготовлен по теxнологии твердого карбида кремния, используя xарактеристики материала SiC с широкой полосой пропускания. МОП-транзистор CoolSiC на 650 В предлагает уникальное сочетание производительности, надежности и простоты использования, подxодит для работы при высокиx температураx и в тяжелыx условияx эксплуатации, обеспечивает упрощенное и экономичное развертывание. обладает высочайшей эффективностью системы.
Технические параметры
| Pin Count | 7 |
| Вес, г | 1.588 |
| Channel Type | N |
| Package Type | TO-263-7 |
| Корпус | TO-263 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Структура | N-Channel |
| Особенности | высоковольтный |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 650 V |
| Maximum Continuous Drain Current | 39 A |
| Пороговое напряжение на затворе | 4V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 650 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 39 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.057 Ом |