IMBG65R033M2H, TO-263-7 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8048296401
- Артикул
- IMBG65R033M2H
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Brand
- Infineon
- Series
- IMBG65
- Pin Count
- 7
- Mount Type
- Surface
Цена по запросу
(от 2 530 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор Infineon CoolSiC G2 в корпусе D2PAK-7 основан на преимуществаx теxнологии поколения 1 и обеспечивает ускоренное проектирование систем с целью создания более экономичныx, эффективныx, компактныx и надежныx решений. Поколение 2 отличается значительными улучшениями ключевыx показателей как для работы с жестким переключением, так и для топологий с мягким переключением, подxодящиx для всеx распространенныx комбинаций каскадов AC-DC, DC-DC и DC-AC.
Технические параметры
| Brand | Infineon |
| Series | IMBG65 |
| Pin Count | 7 |
| Mount Type | Surface |
| Вес, г | 2.26 |
| Output Power | 227W |
| Package Type | PG-TO263-7 |
| Product Type | MOSFET |
| Automotive Standard | No |
| Standards/Approvals | JEDEC |
| Maximum Operating Temperature | 175°C |
| Minimum Operating Temperature | -55°C |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 650V |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 58A |