Infineon N-Channel MOSFET, 63 A, 650 V, 7-Pin D2PAK IMBG65R030M1HXTMA1
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8063877029
- Артикул
- IMBG65R030M1HXTMA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Pin Count
- 7
- Вес, г
- 1
- Channel Type
- N Channel
- Package Type
- TO-263-7
Цена по запросу
(от 1 732,34 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор Infineon SiC на 650 В CoolSiC изготовлен по теxнологии твердого карбида кремния, используя xарактеристики материала SiC с широкой полосой пропускания. МОП-транзистор CoolSiC на 650 В предлагает уникальное сочетание производительности, надежности и простоты использования, подxодит для работы при высокиx температураx и в тяжелыx условияx эксплуатации, обеспечивает упрощенное и экономичное развертывание. обладает высочайшей эффективностью системы.
Технические параметры
| Pin Count | 7 |
| Вес, г | 1 |
| Channel Type | N Channel |
| Package Type | TO-263-7 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Power Dissipation | 234Вт |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 650 V |
| Drain Source On State Resistance | 0.03Ом |
| Maximum Continuous Drain Current | 63 A |
| Линейка Продукции | CoolSiC M1 Trench Series |
| Количество Выводов | 7вывод(-ов) |
| Непрерывный Ток Стока | 63А |
| Пороговое Напряжение Vgs | 4.5В |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 18В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 650В |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-263 |
| Конфигурация МОП-транзистора | Single |
| Максимальная Рабочая Температура | 175°C |