IMBG65R020M2HXTMA1, TO-263-7 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8048282967
- Артикул
- IMBG65R020M2HXTMA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- FET Type
- N-Channel
- Vgs (Max)
- +23V, -7V
- Technology
- SiCFET(Silicon Carbide)
- Вес, г
- 2.42
Цена по запросу
(от 3 270 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
N-канальный 650 В 91 А (Tc) 326 Вт (Tc) для поверxностного монтажа PG-TO263-7-12
Технические параметры
| FET Type | N-Channel |
| Vgs (Max) | +23V, -7V |
| Technology | SiCFET(Silicon Carbide) |
| Вес, г | 2.42 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-263-8, D2PAK(7 Leads+Tab), TO-263CA |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5.6V @ 9.5mA |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C(TJ) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 24mOhm @ 46.9A, 18V |
| Power Dissipation (Max) | 326W(Tc) |
| Supplier Device Package | PG-TO263-7-12 |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 57 nC @ 18 V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2038 pF @ 400 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 15V, 20V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 91A(Tc) |