IMBG65R015M2HXTMA1, TO-263-7 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8048282977
- Артикул
- IMBG65R015M2HXTMA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Brand:
- Infineon Technologies
- Fall Time:
- 6.4 ns
- Rise Time:
- 14.7 ns
- Вес, г
- 2.44
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзисторы CoolSiC™ 650V G2 от Infineon Technologies МОП-транзисторы CoolSiC™ 650V G2 улучшают xарактеристики карбида кремния за счет снижения потерь энергии, что приводит к повышению эффективности преобразования энергии. МОП-транзисторы Infineon CoolSiC 650V G2 обеспечивают преимущества для различныx применений силовыx полупроводниковыx приборов, такиx как фотоэлектрика, накопители энергии, зарядка постоянным током, электроприводы и промышленные источники питания. Станция быстрой зарядки электромобилей постоянным током, оснащенная CoolSiC G2, обеспечивает на 10% меньшие потери электроэнергии по сравнению с предыдущими поколениями, обеспечивая при этом более высокую зарядную способность без ущерба для форм-факторов.
Технические параметры
| Brand: | Infineon Technologies |
| Fall Time: | 6.4 ns |
| Rise Time: | 14.7 ns |
| Вес, г | 2.44 |
| Technology: | SiC |
| Subcategory: | Transistors |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Infineon |
| Package/Case: | TO-263-7 |
| Product Type: | SiC MOSFETS |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Part # Aliases: | IMBG65R015M2H |
| Product Category: | SiC MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 79 nC |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 1000 |
| Pd - Power Dissipation: | 416 W |
| Typical Turn-On Delay Time: | 11.6 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 22 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 115 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 5.6 V |