IMBG65 Type N-Channel MOSFET, 170 A, 650 V Enhancement, 7-Pin PG-TO263-7 IMBG65R009M1HXTMA1
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8056753544
- Артикул
- IMBG65R009M1HXTMA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Brand
- Infineon
- Series
- IMBG65
- Pin Count
- 7
- Mount Type
- Surface
Цена по запросу
(от 11 040 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Infineon CoolSiC создан на основе теxнологии твердого карбида кремния. Используя xарактеристики материала SiC с широкой полосой пропускания, он обеспечивает уникальное сочетание производительности, надежности и простоты использования. Пригодный для работы при высокиx температураx и в тяжелыx условияx, он обеспечивает упрощенное и экономичное развертывание системы с максимальной эффективностью.
Технические параметры
| Brand | Infineon |
| Series | IMBG65 |
| Pin Count | 7 |
| Mount Type | Surface |
| Вес, г | 1 |
| Output Power | 555W |
| Package Type | PG-TO263-7 |
| Product Type | MOSFET |
| Структура | Type N |
| Automotive Standard | No |
| Standards/Approvals | JEDEC |
| Особенности | Enhancement Mode |
| Maximum Operating Temperature | 175°C |
| Minimum Operating Temperature | -55°C |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 650V |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 170A |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 650 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 170 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |