Моя заявка (0)

IMBG40R011M2HXTMA1, TO-263-7 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS

IMBG40R011M2HXTMA1, TO-263-7 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8070101400
Артикул
IMBG40R011M2HXTMA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Q(g)
85 nC
V(DS)
400 V
P(tot)
429 W
Package
TO263-7
Цена по запросу
(от 2 605,04 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Технические параметры

Q(g)85 nC
V(DS)400 V
P(tot)429 W
PackageTO263-7
R(thJC)0.35 K/W
MountingSMD
PackagingREEL
AutomotiveNO
TechnologyCoolSiC
Вес, г1
Logic levelNO
RoHS StatusRoHS-conform
ConfigurationN-CH
Fast bodydiodeYES
I(D)at Tc=25°C133 A

Техническая документация