Моя заявка (0)
IMBG120R350M1HXTMA1, SiC MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8005505221
Артикул
IMBG120R350M1HXTMA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Вес, г
7.2
Package Type
PG-TO263-7
Цена по запросу
(от 572,69 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Sic-МОП-транзистор Infineon CoolSiC 1200 В, 350 Мом в корпусе D2PAK-7L изготовлен на основе ультрасовременного полупроводникового процесса trench, оптимизированного для сочетания производительности и надежности в эксплуатации.

Технические параметры

Вес, г7.2
Package TypePG-TO263-7

Техническая документация