IMBG120R234M2HXTMA1, Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 8.1 A, 1.2 kV, 0.2339 ohm, TO-263HV
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8046467549
- Артикул
- IMBG120R234M2HXTMA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- FET Type
- N-Channel
- Vgs (Max)
- +20V, -7V
- Technology
- SiCFET(Silicon Carbide)
- Вес, г
- 1
Цена по запросу
(от 625 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
N-канальный 1200 В 8,1 А (Tc) 80 Вт (Tc) для поверxностного монтажа PG-TO263-7-12
Технические параметры
| FET Type | N-Channel |
| Vgs (Max) | +20V, -7V |
| Technology | SiCFET(Silicon Carbide) |
| Вес, г | 1 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-263-8, D2PAK(7 Leads+Tab), TO-263CA |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5.1V @ 900µA |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C(TJ) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 233.9mOhm @ 3A, 18V |
| Power Dissipation (Max) | 80W(Tc) |
| Supplier Device Package | PG-TO263-7-12 |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 7.9 nC @ 18 V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 290 pF @ 800 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 15V, 18V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 8.1A(Tc) |