N-Channel MOSFET, 18 A, 1200 V, 7-PIn D2PAK InfIneon IMBG120R220M1HXTMA1
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8044497818
- Артикул
- IMBG120R220M1HXTMA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Pin Count
- 7
- Вес, г
- 1
- Серия
- CoolSiC Mosfet
- Channel Type
- N
Цена по запросу
(от 895 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) SIC DISCRETE
Технические параметры
| Pin Count | 7 |
| Вес, г | 1 |
| Серия | CoolSiC Mosfet |
| Channel Type | N |
| Package Type | TO-263-7 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Power Dissipation | 83Вт |
| Технология | SiC |
| Тип продукта | IGBT Transistors |
| Подкатегория | IGBTs |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Торговая марка | Infineon Technologies |
| Maximum Drain Source Voltage | 1200 V |
| Drain Source On State Resistance | 0.22Ом |
| Maximum Continuous Drain Current | 18 A |
| Линейка Продукции | CoolSiC |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I |
| Количество Выводов | 7вывод(-ов) |
| Непрерывный Ток Стока | 13А |
| Рассеиваемая Мощность | 83Вт |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 4.5В |
| Другие названия товара № | IMBG120R220M1H SP004463796 |
| Коммерческое обозначение | CoolSiC |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 18В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 1.2кВ |
| Размер фабричной упаковки | 1000 |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-263(D2PAK) |
| Конфигурация МОП-транзистора | Single |
| Максимальная Рабочая Температура | 175°C |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.22Ом |