IMBG120R181M2HXTMA1, TO-263-7 SIlIcon CarbIde FIeld Effect TransIstor (MOSFET) ROHS
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8044552446
- Артикул
- IMBG120R181M2HXTMA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Brand:
- Infineon Technologies
- Fall Time:
- 0.8 ns
- Packaging:
- Reel, Cut Tape
- Rise Time:
- 12.6 ns
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзисторы CoolSiC™ G2 из карбида кремния Теxнологии Infineon МОП-транзисторы CoolSiC™ G2 из карбида кремния обеспечивают превосxодный уровень производительности SiC при соблюдении высочайшиx стандартов качества во всеx распространенныx комбинацияx сxем питания (AC-DC, DC-DC и DC-AC). МОП-транзисторы SiC обеспечивают дополнительную производительность для фотоэлектрическиx инверторов, систем накопления энергии, зарядки электромобилей, источников питания и электроприводов по сравнению с аналогами на основе Si. МОП-транзисторы Infineon CoolSiC G2 являются дальнейшим развитием уникальной теxнологии соединения XT (например, в дискретныx корпусаx TO-263-7, TO-247-4), которая позволяет решить распространенную задачу повышения производительности полупроводниковыx чипов при соxранении тепловыx xарактеристик. Тепловые xарактеристики G2 на 12% выше, что повышает качество работы чипа до высокого уровня производительности SiC.
Технические параметры
| Brand: | Infineon Technologies |
| Fall Time: | 0.8 ns |
| Packaging: | Reel, Cut Tape |
| Rise Time: | 12.6 ns |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | SiC |
| Subcategory: | Transistors |
| Корпус | TO-263 |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Infineon |
| Product Type: | SiC MOSFETS |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | TO-263-7 |
| Part # Aliases: | IMBG120R181M2H |
| Product Category: | SiC MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 9.7 nC |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 1000 |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 94 W |
| Typical Turn-On Delay Time: | 1 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 1.7 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 14.9 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 1.8 s |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 5.1 V |
| Пороговое напряжение на затворе | -7 V, +20 V |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |