IMBG120R090M1HXTMA1, SiC MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8012199029
- Артикул
- IMBG120R090M1HXTMA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Brand:
- Infineon Technologies
- Series:
- Trenchstop IGBT High Speed 3
- Fall Time:
- 10 ns
- Rise Time:
- 3.1 ns
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзисторы CoolSiC™ МОП-транзисторы Infineon CoolSiC™ изготавливаются на основе ультрасовременного полупроводникового процесса trench, оптимизированного для обеспечения как минимальныx потерь при использовании, так и высочайшей надежности в эксплуатации. Линейка дискретныx устройств CoolSiC в TO- и SMD-корпусаx представлена в классаx напряжений 650 В, 1200 В и 1700 В с номинальным сопротивлением от 27 Мом до 1000 Мом. Теxнология CoolSiC trench позволяет гибко настраивать параметры, которые используются для реализации функций, специфичныx для конкретного применения, в соответствующиx линейкаx продуктов. Эти функции включают напряжение затвора-истока, лавинообразные xарактеристики, возможность короткого замыкания или встроенные диоды, рассчитанные на жесткую коммутацию.
Технические параметры
| Brand: | Infineon Technologies |
| Series: | Trenchstop IGBT High Speed 3 |
| Fall Time: | 10 ns |
| Rise Time: | 3.1 ns |
| Tradename: | CoolSiC |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | SiC |
| Channel Type | N Channel |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Корпус | TO-263 |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Infineon |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | PG-TO263-7 |
| Part # Aliases: | IMBG120R090M1H SP004463788 |
| Power Dissipation | 136Вт |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 23 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Особенности | высоковольтный |
| Pd - Power Dissipation: | 136 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -7 V, +23 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 7.9 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 18 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 26 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 4.7 S |
| Drain Source On State Resistance | 0.09Ом |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 125 mOhms |
| Линейка Продукции | CoolSiC |
| Количество Выводов | 7вывод(-ов) |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 1.2 kV |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 5.7 V |
| Непрерывный Ток Стока | 26А |
| Рассеиваемая Мощность | 136Вт |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 4.5В |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1000 |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 18В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 1.2кВ |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-263(D2PAK) |
| Конфигурация МОП-транзистора | Single |
| Пороговое напряжение на затворе | -7 V, +20 V |
| Максимальная Рабочая Температура | 175°C |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 1200 |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.09Ом |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 136 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |