IMBG120R078M2HXTMA1, TO-263-7 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8070676837
- Артикул
- IMBG120R078M2HXTMA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Brand:
- Infineon Technologies
- Fall Time:
- 2 ns
- Packaging:
- Reel, Cut Tape
- Rise Time:
- 13.4 ns
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзисторы CoolSiC™ 1200V G2 из карбида кремния Infineon Technologies МОП-транзисторы CoolSiC™ 1200V G2 из карбида кремния Infineon Technologies - это высокопроизводительное решение для применения в силовой электронике. Эти МОП-транзисторы демонстрируют отличные электрические xарактеристики и очень низкие потери при переключении, что обеспечивает эффективную работу. МОП-транзисторы рассчитаны на работу в условияx перегрузки, поддерживают температуру до +200°C и выдерживают короткие замыкания продолжительностью до 2 мкс. Примечательно, что эти устройства имеют эталонное пороговое напряжение на затворе VGS(th), равное 4,2 В, что обеспечивает точное управление.
Технические параметры
| Brand: | Infineon Technologies |
| Fall Time: | 2 ns |
| Packaging: | Reel, Cut Tape |
| Rise Time: | 13.4 ns |
| Вес, г | 1.52 |
| Technology: | SiC |
| Subcategory: | Transistors |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Infineon |
| Package/Case: | TO-263-7 |
| Product Type: | SiC MOSFETS |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Part # Aliases: | IMBG120R078M2H |
| Product Category: | SiC MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 20.6 nC |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 1000 |
| Pd - Power Dissipation: | 158 W |
| Typical Turn-On Delay Time: | 2 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 3.4 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 29 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 4.1 s |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 5.1 V |