IMBG120R060M1HXTMA1, SiC MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8012186606
- Артикул
- IMBG120R060M1HXTMA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Q(g)
- 31 nC
- V(DS)
- 1200 V
- P(tot)
- 181 W
- Package
- TO-263-7
Цена по запросу
(от 1 290 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
N-канальный 1200 В 36 А (Tc) 181 Вт (Tc) для поверxностного монтажа PG-TO263-7-12
Технические параметры
| Q(g) | 31 nC |
| V(DS) | 1200 V |
| P(tot) | 181 W |
| Package | TO-263-7 |
| R(thJC) | 0.63 K/W |
| FET Type | N-Channel |
| Mounting | SMD |
| Packaging | REEL |
| Vgs (Max) | +18V, -15V |
| Automotive | NO |
| Technology | SiCFET(Silicon Carbide) |
| Вес, г | 2.3 |
| Logic level | NO |
| RoHS Status | RoHS-conform |
| Корпус | TO-263 |
| Configuration | N-CH |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Fast bodydiode | YES |
| Package / Case | TO-263-8, D2PAK(7 Leads+Tab), TO-263CA |
| I(D)at Tc=25°C | 34.3 A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5.7V @ 5.6mA |
| Структура | N-Channel |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C(TJ) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 83mOhm @ 13A, 18V |
| Особенности | высоковольтный |
| Power Dissipation (Max) | 181W(Tc) |
| Supplier Device Package | PG-TO263-7-12 |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 34 nC @ 18 V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1145 pF @ 800 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 36A(Tc) |
| Пороговое напряжение на затворе | -7 V, +20 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 1200 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |