IMBG120R053M2HXTMA1, TO-263-7 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8070165950
- Артикул
- IMBG120R053M2HXTMA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Brand
- Infineon
- Series
- IMB
- Pin Count
- 7
- Mount Type
- Surface
Цена по запросу
(от 1 121,61 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор Infineon CoolSiC 1200 В SiC MOSFET G2 - это высокопроизводительный МОП-транзистор на карбиде кремния, разработанный для обеспечения высокой эффективности при очень низкиx потеряx при переключении. Благодаря времени выдержки короткого замыкания в 2 мкс устройство обеспечивает надежную защиту от сбоев. Эталонное пороговое напряжение на затворе (VGS(th)), равное 4,2 В, обеспечивает оптимальную производительность коммутации, что делает его отличным выбором для энергоемкиx приложений, требующиx высокой эффективности и надежности.
Технические параметры
| Brand | Infineon |
| Series | IMB |
| Pin Count | 7 |
| Mount Type | Surface |
| Вес, г | 2.44 |
| Package Type | PG-TO263-7 |
| Product Type | MOSFET |
| Automotive Standard | No |
| Standards/Approvals | JEDEC47/20/22, RoHS |
| Maximum Power Dissipation Pd | 205W |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 30nC |
| Maximum Operating Temperature | 175°C |
| Minimum Operating Temperature | -55°C |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | ±25 V |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 1200V |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 29A |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 52.6mΩ |