Моя заявка (0)

IMBG120R045M1HXTMA1, 1200V 47A 63mOhm@16A,18V 227W N Channel TO-263-7-12 MOSFETs

IMBG120R045M1HXTMA1, 1200V 47A 63mOhm@16A,18V 227W N Channel TO-263-7-12 MOSFETs

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8025236838
Артикул
IMBG120R045M1HXTMA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
MSL
MSL 1-Unlimited
Вес, г
3.1
No. of Pins
7Pins
Channel Type
N Channel
Цена по запросу
(от 3 110 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Технические параметры

MSLMSL 1-Unlimited
Вес, г3.1
No. of Pins7Pins
Channel TypeN Channel
КорпусTO-263
Product RangeCoolSiC Mosfet 1200V G2
Power Dissipation227W
СтруктураN-Channel
Drain Source Voltage1200V
Transistor Case StyleTO-263(D2PAK)
Особенностивысоковольтный
Continuous Drain Current47A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Operating Temperature Max175°C
Continuous Drain Current Id47A
MOSFET Module ConfigurationSingle
Gate Source Threshold Voltage Max4.5V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В1200
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А47
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт227
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)63мОм

Техническая документация