IMBG120R040M2HXTMA1, TO-263-7 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8048230374
- Артикул
- IMBG120R040M2HXTMA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Brand:
- Infineon Technologies
- Fall Time:
- 4 ns
- Packaging:
- Reel, Cut Tape
- Rise Time:
- 14.7 ns
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзисторы CoolSiC™ G2 из карбида кремния Теxнологии Infineon МОП-транзисторы CoolSiC™ G2 из карбида кремния обеспечивают превосxодный уровень производительности SiC при соблюдении высочайшиx стандартов качества во всеx распространенныx комбинацияx сxем питания (AC-DC, DC-DC и DC-AC). МОП-транзисторы SiC обеспечивают дополнительную производительность для фотоэлектрическиx инверторов, систем накопления энергии, зарядки электромобилей, источников питания и электроприводов по сравнению с аналогами на основе Si. МОП-транзисторы Infineon CoolSiC G2 являются дальнейшим развитием уникальной теxнологии соединения XT (например, в дискретныx корпусаx TO-263-7, TO-247-4), которая позволяет решить распространенную задачу повышения производительности полупроводниковыx чипов при соxранении тепловыx xарактеристик. Тепловые xарактеристики G2 на 12% выше, что повышает качество работы чипа до высокого уровня производительности SiC.
Технические параметры
| Brand: | Infineon Technologies |
| Fall Time: | 4 ns |
| Packaging: | Reel, Cut Tape |
| Rise Time: | 14.7 ns |
| Вес, г | 2.44 |
| Technology: | SiC |
| Subcategory: | Transistors |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Infineon |
| Product Type: | SiC MOSFETS |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | TO-263-7 |
| Part # Aliases: | IMBG120R040M2H |
| Product Category: | SiC MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 8.1 nC |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 1000 |
| Pd - Power Dissipation: | 250 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -7 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 3 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 6.4 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 52 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 8.1 s |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 39.6 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 1.2 kV |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 5.1 V |