IMBG120R034M2HXTMA1, Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 58 A, 1.2 kV, 0.034 ohm, TO-263 (D2PAK)
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8046491149
- Артикул
- IMBG120R034M2HXTMA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Вес, г
- 0.001
- No. of Pins
- 7Pins
- Channel Type
- N Channel
- Product Range
- CoolSiC Mosfet 1200V G2
Цена по запросу
(от 2 820 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Вес, г | 0.001 |
| No. of Pins | 7Pins |
| Channel Type | N Channel |
| Product Range | CoolSiC Mosfet 1200V G2 |
| Transistor Case Style | TO-263(D2PAK) |
| Drain Source Voltage Vds | 1.2kV |
| Operating Temperature Max | 175°C |
| Continuous Drain Current Id | 58A |
| MOSFET Module Configuration | Single |
| Gate Source Threshold Voltage Max | 5.1V |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 278W |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 18V |