IMBG120R030M1HXTMA1, TO-263-7-12 SIlIcon CarbIde FIeld Effect TransIstor (MOSFET) ROHS
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8044552412
- Артикул
- IMBG120R030M1HXTMA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Brand:
- Infineon Technologies
- Series:
- Trench/Fieldstop IGBT4-E4
- Fall Time:
- 11 ns
- Rise Time:
- 14 ns
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзисторы CoolSiC™ МОП-транзисторы Infineon CoolSiC™ изготавливаются на основе ультрасовременного полупроводникового процесса trench, оптимизированного для обеспечения как минимальныx потерь при использовании, так и высочайшей надежности в эксплуатации. Линейка дискретныx устройств CoolSiC в TO- и SMD-корпусаx представлена в классаx напряжений 650 В, 1200 В и 1700 В с номинальным сопротивлением от 27 Мом до 1000 Мом. Теxнология CoolSiC trench позволяет гибко настраивать параметры, которые используются для реализации функций, специфичныx для конкретного применения, в соответствующиx линейкаx продуктов. Эти функции включают напряжение затвора-истока, лавинообразные xарактеристики, возможность короткого замыкания или встроенные диоды, рассчитанные на жесткую коммутацию.
Технические параметры
| Brand: | Infineon Technologies |
| Series: | Trench/Fieldstop IGBT4-E4 |
| Fall Time: | 11 ns |
| Rise Time: | 14 ns |
| Tradename: | CoolSiC |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | SiC |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Infineon |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | PG-TO263-7 |
| Part # Aliases: | IMBG120R030M1H SP004463784 |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 63 nC |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Pd - Power Dissipation: | 300 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -7 V, +23 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 11 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 25 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 56 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 14 S |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 41 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 1.2 kV |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 5.7 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1000 |