Моя заявка (0)

IMBG120R022M2HXTMA1, Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 87 A, 1.2 kV, 0.0216 ohm, TO-263HV

IMBG120R022M2HXTMA1, Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 87 A, 1.2 kV, 0.0216 ohm, TO-263HV

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8046467543
Артикул
IMBG120R022M2HXTMA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Brand:
Infineon Technologies
Fall Time:
7.4 ns
Packaging:
Reel, Cut Tape
Rise Time:
16.9 ns
Цена по запросу
(от 3 050 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзисторы CoolSiC™ 1200V G2 из карбида кремния Infineon Technologies МОП-транзисторы CoolSiC™ 1200V G2 из карбида кремния Infineon Technologies - это высокопроизводительное решение для применения в силовой электронике. Эти МОП-транзисторы демонстрируют отличные электрические xарактеристики и очень низкие потери при переключении, что обеспечивает эффективную работу. МОП-транзисторы рассчитаны на работу в условияx перегрузки, поддерживают температуру до +200°C и выдерживают короткие замыкания продолжительностью до 2 мкс. Примечательно, что эти устройства имеют эталонное пороговое напряжение на затворе VGS(th), равное 4,2 В, что обеспечивает точное управление.

Технические параметры

Brand:Infineon Technologies
Fall Time:7.4 ns
Packaging:Reel, Cut Tape
Rise Time:16.9 ns
Вес, г1
Technology:SiC
Subcategory:Transistors
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Infineon
Package/Case:TO-263-7
Product Type:SiC MOSFETS
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Part # Aliases:IMBG120R022M2H
Product Category:SiC MOSFETs
Qg - Gate Charge:71 nC
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Factory Pack Quantity:1000
Pd - Power Dissipation:385 W
Typical Turn-On Delay Time:6 ns
Typical Turn-Off Delay Time:11.3 ns
Id - Continuous Drain Current:87 A
Maximum Operating Temperature:+175 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Forward Transconductance - Min:14.8 s
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:5.1 V

Техническая документация