IMB Type N-Channel MOSFET, 189 A, 1200 V Enhancement, 7-Pin PG-TO263-7 IMBG120R008M2HXTMA1
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8050801793
- Артикул
- IMBG120R008M2HXTMA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- FET Type
- N-Channel
- Vgs (Max)
- +23V, -10V
- Technology
- SiCFET(Silicon Carbide)
- Вес, г
- 1
Цена по запросу
(от 11 550 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
N-канальный 1200 В 189 А (Tc) 800 Вт (Tc) для поверxностного монтажа PG-TO263-7-12
Технические параметры
| FET Type | N-Channel |
| Vgs (Max) | +23V, -10V |
| Technology | SiCFET(Silicon Carbide) |
| Вес, г | 1 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-263-8, D2PAK(7 Leads+Tab), TO-263CA |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5.1V @ 28.3mA |
| Структура | N-Channel |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C(TJ) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.7mOhm @ 89.9A, 18V |
| Особенности | высоковольтный |
| Power Dissipation (Max) | 800W(Tc) |
| Supplier Device Package | PG-TO263-7-12 |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 195 nC @ 18 V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 6380 pF @ 800 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 15V, 18V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 189A(Tc) |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 1200 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 189 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |