IMBF170R650M1XTMA1, Транзистор MOSFET PGTO2637
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8025230783
- Артикул
- IMBF170R650M1XTMA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Series
- IMBF1
- Pin Count
- 7
- Вес, г
- 2.28
- Channel Mode
- Enhancement
Цена по запросу
(от 696,97 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Sic-МОП-транзистор Infineon CoolSiC™ 1700 В, 650 Мом в корпусе TO-263-7 с высокой пропускной способностью оптимизирован для использования во вспомогательныx источникаx питания, подключенныx к сети постоянного тока напряжением от 600 В до 1000 В, в различныx областяx применения.
Технические параметры
| Series | IMBF1 |
| Pin Count | 7 |
| Вес, г | 2.28 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | 1PCSNChannel |
| Package Type | TO-263-7 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Power Dissipation | 88W |
| Структура | MOSFET |
| Drain Source Voltage | 1700V |
| Особенности | - |
| Continuous Drain Current | 7.4A |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 1700 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4.5V |
| Maximum Drain Source Resistance | 650 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 7.4 A |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |