Моя заявка (0)

IMBF170R450M1XTMA1, SiC MOSFETs CoolSiC 1700 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package

IMBF170R450M1XTMA1, SiC MOSFETs CoolSiC 1700 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8006224185
Артикул
IMBF170R450M1XTMA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Brand:
Infineon Technologies
Pin Count
7
Fall Time:
24 ns
Rise Time:
20 ns
Цена по запросу
(от 764,98 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Высоковольтные IEEE 1500V + Дискретные полупроводниковые транзисторы

Технические параметры

Brand:Infineon Technologies
Pin Count7
Fall Time:24 ns
Rise Time:20 ns
Вес, г5
Technology:SiC
Channel TypeN
Package TypeTO-263-7
Subcategory:MOSFETs
КорпусTO-263
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Infineon
Mounting TypeSurface Mount
Product Type:MOSFET
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:TO-263-7
Part # Aliases:IMBF170R450M1 SP002739682
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:11 nC
СтруктураN-Channel
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Особенностивысоковольтный
Pd - Power Dissipation:107 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-10 V, +20 V
Number of Elements per Chip1
Typical Turn-On Delay Time:27 ns
Maximum Drain Source Voltage1700 V
Typical Turn-Off Delay Time:32 ns
Id - Continuous Drain Current:9.8 A
Maximum Operating Temperature:+175 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Forward Transconductance - Min:0.9 S
кол-во в упаковке10
Maximum Continuous Drain Current9.8 A
Rds On - Drain-Source Resistance:450 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:1.7 kV
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:4.5 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:1000
Пороговое напряжение на затворе-7 V, +20 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В1700
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт107
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация