IMBF170R1K0M1XTMA1, Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 5.2 A, 1.7 kV, 0.809 ohm, TO-263 (D2PAK)
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8013447178
- Артикул
- IMBF170R1K0M1XTMA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Series
- IMBF1
- Pin Count
- 7
- Вес, г
- 3
- Channel Mode
- Enhancement
Цена по запросу
(от 750 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Sic-МОП-транзистор Infineon CoolSiC™ 1700 В, 1000 Мом в корпусе TO-263-7 с высокой пропускной способностью оптимизирован для использования во вспомогательныx источникаx питания, подключенныx к сети постоянного тока напряжением от 600 В до 1000 В в различныx областяx применения.
Технические параметры
| Series | IMBF1 |
| Pin Count | 7 |
| Вес, г | 3 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | TO-263-7 |
| Корпус | TO-263 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Encapsulated Type | Single tube |
| Input Capacitance | 275pF |
| Power Dissipation | 68W |
| Total Gate Charge | 5nC |
| Структура | N-Channel |
| Drain Source Voltage | 1700V |
| Особенности | высоковольтный |
| Continuous Drain Current | 5.2A |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 1700 V |
| Reverse Transfer Capacitance | 0.7pF |
| Drain Source Threshold Voltage | 4.5V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4.5V |
| Maximum Drain Source Resistance | 1000 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 5.2 A |
| Drain-Source On-State Resistance(15V) | 809mΩ |
| Пороговое напряжение на затворе | 2…4 В |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 1700 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 5.2 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.809 Ом |