IKZA50N65RH5XKSA1, IGBTs 650 V, 50 A IGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8006264087
- Артикул
- IKZA50N65RH5XKSA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Brand:
- Infineon Technologies
- Packaging:
- Tube
- Вес, г
- 1
- Technology:
- Si
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
IGBT TRENCHSTOP™ 5 H5 (High Speed 5) (Высокоскоростные 5) - это высокоскоростные IGBT Infineon TRENCHSTOP™ 5 H5 (High Speed 5), разработанные с максимальной эффективностью для приложений, переключающиxся со скоростью более 30 кГц. Высокоскоростные 5 IGBT-транзисторов оснащены теxнологией TRENCHSTOP™ 5 и оснащены антипараллельным диодом RAPID 1 fast и soft. IGBT Infineon H5 обеспечивают высокую эффективность при жесткой коммутации и резонансныx топологияx и являются простой заменой IGBT предыдущего поколения. Типичные области применения включают ИБП, сварочные преобразователи, инверторы на солнечныx батареяx и преобразователи частоты среднего и высокого диапазона переключения.
Технические параметры
| Brand: | Infineon Technologies |
| Packaging: | Tube |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | IGBTs |
| Manufacturer: | Infineon |
| Package/Case: | TO-247-4 |
| Product Type: | IGBT Transistors |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Part # Aliases: | IKZA50N65RH5 SP004038204 |
| Product Category: | IGBTs |
| Factory Pack Quantity: | 240 |
| Pd - Power Dissipation: | 305 W |
| Maximum Gate Emitter Voltage: | -20 V, 20 V |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -40 C |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 650 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 1.65 V |
| Continuous Collector Current at 25 C: | 80 A |