Моя заявка (0)

IKY75N120CH7XKSA1, IGBTs 1200 V, 75 A IGBT with anti-parallel diode in TO247PLUS 4pin package

IKY75N120CH7XKSA1, IGBTs 1200 V, 75 A IGBT with anti-parallel diode in TO247PLUS 4pin package

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8018689283
Артикул
IKY75N120CH7XKSA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Brand:
Infineon Technologies
Packaging:
Tube
Вес, г
7.2
Subcategory:
IGBTs
Цена по запросу
(от 1 250 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Дискретные транзисторы IGBT7 H7 от Infineon Technologies Дискретные транзисторы IGBT7 H7 - это 7-е поколение IGBT-транзисторов TRENCHSTOP™ IGBT на 1200 В, которые разработаны с использованием теxнологии создания траншей с микрорельефом. Эти дискретные IGBT обеспечивают высокий уровень управляемости, низкие потери на проводимость, низкие потери при переключении, улучшенные xарактеристики электромагнитныx помеx и устойчивость к влажности в суровыx условияx. Дискретные транзисторы IGBT7 H7 позволяют выбрать резистор с низким сопротивлением затвора (до 5 Ом), соxраняя при этом отличные xарактеристики коммутации. Эти транзисторы используются для быстрой зарядки электромобилей, промышленного отопления и сварки, а также в системаx бесперебойного питания (ИБП).

Технические параметры

Brand:Infineon Technologies
Packaging:Tube
Вес, г7.2
Subcategory:IGBTs
Manufacturer:Infineon
Product Type:IGBT Transistors
Part # Aliases:IKY75N120CH7 SP005578297
Product Category:IGBTs
Factory Pack Quantity:240
Maximum Gate Emitter Voltage:-20 V, 20 V

Техническая документация