Моя заявка (0)

IKY75N120CH3XKSA1, Транзистор IGBT, 1,2кВ, 75А, 256Вт, TO247PLUS-4, Серия H3

IKY75N120CH3XKSA1, Транзистор IGBT, 1,2кВ, 75А, 256Вт, TO247PLUS-4, Серия H3

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8062091790
Артикул
IKY75N120CH3XKSA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
RoHS
Details
Brand
Infineon Technologies
Вес, г
6.5
Manufacturer
Infineon
Цена по запросу
(от 1 340 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Описание Транзистор IGBT, 1,2кВ, 75А, 256Вт, TO247PLUS-4, Серия H3 Характеристики Категория Транзистор Тип БТИЗ Вид IGBT

Технические параметры

RoHSDetails
BrandInfineon Technologies
Вес, г6.5
ManufacturerInfineon
Package TypePG-TO247-4-2
ConfigurationSingle
Mounting StyleThrough Hole
Package / CasePG-TO247-4-2
Product CategoryIGBT Transistors
Power Dissipation938Вт
Pd - Power Dissipation938 W
Maximum Power Dissipation938 W
Continuous Collector Current150А
Gate-Emitter Leakage Current100 nA
Maximum Gate Emitter Voltage±20V
Collector Emitter Voltage Max1.2кВ
Maximum Operating Temperature+175 C
Minimum Operating Temperature-40 C
Maximum Collector Emitter Voltage1200 V
Линейка ПродукцииHighSpeed 3
Collector- Emitter Voltage VCEO Max1200 V
Continuous Collector Current Ic Max150 A
Количество Выводов4вывод(-ов)
Монтаж транзистораThrough Hole
Collector Emitter Saturation Voltage2В
Collector-Emitter Saturation Voltage2 V
Continuous Collector Current at 25 C150 A
Maximum Continuous Collector Current150 A
Стиль Корпуса ТранзистораTO-247
Максимальная Рабочая Температура175°C

Техническая документация