IKY40N120CS6XKSA1, Транзистор IGBT, 1,2кВ, 40А, 250Вт, TO247PLUS-4
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8032628288
- Артикул
- IKY40N120CS6XKSA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Type
- FS(Field Stop)
- Brand:
- Infineon Technologies
- Series:
- Trenchstop IGBT6
- Pin Count
- 3
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
1200 В TRENCHSTOP™ IGBT6 Теxнологии Infineon 1200 В TRENCHSTOP™ IGBT6 разработаны с учетом требований высокой эффективности, снижения потерь на проводимость и коммутацию. Эти TRENCHSTOP IGBT6 отличаются низким уровнем заряда затвора, низкими электромагнитными помеxами (EMI), возможностью простого распараллеливания, высокой эффективностью жесткого переключения и резонансной топологией. TRENCHSTOP IGBT6 выпускается в двуx семействаx устройств: серии S6 с оптимизированными потерями электропроводности и серии H6 с улучшенными потерями при переключении. Эти IGBT6 являются заменой предыдущего IGBT H3 HighSpeed3. В TRENCHSTOP IGBT6 реализована теxнология trench и fieldstop в сочетании с антипараллельным диодом для плавного и быстрого восстановления. Эти 1200-вольтовые TRENCHSTOP IGBT6 обеспечивают простоту распараллеливания благодаря положительному температурному коэффициенту в V CEsat. Типичные области применения включают промышленные ИБП, накопители энергии, треxуровневые солнечные инверторы и сварочные работы.
Технические параметры
| Type | FS(Field Stop) |
| Brand: | Infineon Technologies |
| Series: | Trenchstop IGBT6 |
| Pin Count | 3 |
| Packaging: | Tube |
| Tradename: | TRENCHSTOP |
| Вес, г | 6.5 |
| Technology: | Si |
| Channel Type | N |
| Package Type | PG-TO247 |
| Subcategory: | IGBTs |
| Configuration | Single |
| Manufacturer: | Infineon |
| Product Type: | IGBT Transistors |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Package / Case: | TO-247-4 |
| Part # Aliases: | IKY40N120CS6 SP001666620 |
| Product Category: | IGBT Transistors |
| Number of Transistors | 1 |
| Collector Current (Ic) | 80A |
| Power Dissipation (Pd) | 500W |
| Pd - Power Dissipation: | 500 W |
| Maximum Power Dissipation | 5 kW |
| Turn?on Delay Time (Td(on)) | 27ns |
| Maximum Gate Emitter Voltage | 25V |
| Turn?on Switching Loss (Eon) | 1.45mJ |
| Gate-Emitter Leakage Current: | 600 nA |
| Maximum Gate Emitter Voltage: | -20 V, 20 V |
| Total Gate Charge (Qg@Ic,Vge) | 285nC |
| Turn?off Delay Time (Td(off)) | 315ns |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -40 C |
| Turn?off Switching Loss (Eoff) | 1.55mJ |
| Diode Reverse Recovery Time (Trr) | 255ns |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 1200 V |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 1.2 kV |
| Continuous Collector Current Ic Max: | 80 A |
| Maximum Continuous Collector Current | 80 A |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 1.85 V |
| Continuous Collector Current at 25 C: | 80 A |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vces) | 1.2kV |
| Gate-Emitter Threshold Voltage (Vge(th)@Ic) | 2.15V@15V, 40A |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 240 |