IKW75N65ET7XKSA1, Транзисторы с изолированным затвором (IGBT)
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8033438392
- Артикул
- IKW75N65ET7XKSA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Type
- FS(Field Stop)
- Brand:
- Infineon Technologies
- Packaging:
- Tube
- Вес, г
- 9.1
Цена по запросу
(от 879 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Дискреты и модули TRENCHSTOP™ IGBT7 от Infineon Technologies Дискреты и модули TRENCHSTOP™ IGBT7 предназначены для приводов с регулируемой скоростью вращения. Можно было бы сэкономить 20% энергии или 17 миллионов тонн CO2, если бы только половина всеx промышленныx приводов имела электрическую регулировку скорости. Infineon облегчает это переключение с помощью теxнологии TRENCHSTOP IGBT7.
Технические параметры
| Type | FS(Field Stop) |
| Brand: | Infineon Technologies |
| Packaging: | Tube |
| Вес, г | 9.1 |
| Technology: | Si |
| Package Type | PG-TO247-3 |
| Subcategory: | IGBTs |
| Manufacturer: | Infineon |
| Package/Case: | TO-247-3 |
| Product Type: | IGBT Transistors |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Part # Aliases: | IKW75N65ET7 SP005348294 |
| Product Category: | IGBT Transistors |
| Collector Current (Ic) | 80A |
| Factory Pack Quantity: | 240 |
| Power Dissipation (Pd) | 333W |
| Pd - Power Dissipation: | 333 W |
| Turn?on Delay Time (Td(on)) | 28ns |
| Maximum Gate Emitter Voltage | ±20V |
| Turn?on Switching Loss (Eon) | 2.17mJ |
| Gate-Emitter Leakage Current: | 100 nA |
| Maximum Gate Emitter Voltage: | -20 V, 20 V |
| Total Gate Charge (Qg@Ic,Vge) | 435nC |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -40 C |
| Turn?off Switching Loss (Eoff) | 1.23mJ |
| Diode Reverse Recovery Time (Trr) | 100ns |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 650 V |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 650 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 1.35 V |
| Continuous Collector Current at 25 C: | 80 A |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vces) | 650V |
| Gate-Emitter Threshold Voltage (Vge(th)@Ic) | 1.65V@15V, 75A |