IKW60N60H3, TO-247-3 IGBT TransIstors / Modules ROHS
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8044550618
- Артикул
- IKW60N60H3
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Вес, г
- 8.55
- Длина
- 15.87 mm
- Серия
- HighSpeed 3
- Высота
- 20.7 mm
Цена по запросу
(от 2 350 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT PRODUCTS TrenchStop
Технические параметры
| Вес, г | 8.55 |
| Длина | 15.87 mm |
| Серия | HighSpeed 3 |
| Высота | 20.7 mm |
| Ширина | 5.31 mm |
| Упаковка | Tube |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Тип продукта | IGBT Transistors |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | IGBTs |
| Торговая марка | Infineon Technologies |
| Упаковка / блок | TO-247-3 |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I |
| Pd - рассеивание мощности | 416 W |
| Другие названия товара № | IKW60N60H3FKSA1 IKW6N6H3XK SP000919762 |
| Коммерческое обозначение | TRENCHSTOP |
| Ток утечки затвор-эмиттер | 100 nA |
| Размер фабричной упаковки | 240 |
| Минимальная рабочая температура | 40 C |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 80 A |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 600 V |
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер | +/- 20 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1.85 V |