IKW50N65RH5XKSA1, IGBTs 650 V, 50 A IGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8006247867
- Артикул
- IKW50N65RH5XKSA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Вес, г
- 1
- Package Type
- PG-TO247-3
- Configuration
- Single
- Number of Transistors
- 2
Цена по запросу
(от 856,94 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Infineon TRENCHSTOP5 H5 IGBT оснащен барьерным диодом Шоттки CoolSiCTM 6-го поколения с пониженной мощностью.
Технические параметры
| Вес, г | 1 |
| Package Type | PG-TO247-3 |
| Configuration | Single |
| Number of Transistors | 2 |
| Maximum Power Dissipation | 305 W |
| Maximum Gate Emitter Voltage | 15V |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 650 V |
| Maximum Continuous Collector Current | 50 A |