Моя заявка (0)

IKW50N65F5FKSA1, Транзистор БТИЗ, биполярный, 650В, 80А, 305Вт, PG-TO247-3

IKW50N65F5FKSA1, Транзистор БТИЗ, биполярный, 650В, 80А, 305Вт, PG-TO247-3

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8070086175
Артикул
IKW50N65F5FKSA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Mounting
Through Hole
Packaging
Rail/Tube
Pin Count
3+Tab
Вес, г
6.19
Цена по запросу
(от 792 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Описание Транзистор БТИЗ IKW50N65F5FKSA1 производства INFINEON - это высокомощный компонент для монтажа THT, предназначенный для широкого спектра применений в электронике. С током коллектора 80 А и напряжением коллектор-эмиттер в 650 В, этот транзистор может управлять значительными энергетическими нагрузками, обладая мощностью до 305 Вт. IGBT транзистор выполнен в надежном корпусе PG-TO247-3, что обеспечивает его долговечность и стабильность работы в различных условиях. Модель IKW50N65F5FKSA1 является идеальным выбором для сложных задач, где требуется высокая эффективность и надежность. Товар сочетает в себе передовые технологии INFINEON и качественное исполнение, что делает его предпочтительным вариантом для профессионалов. Характеристики Категория Транзистор Тип БТИЗ Вид IGBT Монтаж THT Ток коллектора, А 80 Напряжение коллектор-эмиттер, В 650 Мощность, Вт 305 Корпус PG-TO247-3

Технические параметры

MountingThrough Hole
PackagingRail/Tube
Pin Count3+Tab
Вес, г6.19
Channel TypeN
Package TypeTO-247
Rad HardenedNo
ConfigurationSingle
Collector Current (DC)80(A)
Collector-Emitter Voltage650(V)
Maximum Power Dissipation305 W
Operating Temperature (Max)175C
Operating Temperature (Min)-40C
Maximum Gate Emitter Voltage±20V
Gate to Emitter Voltage (Max)'±20(V)
Maximum Collector Emitter Voltage650 V
Maximum Continuous Collector Current80 A
Operating Temperature ClassificationAutomotive

Техническая документация